IXYS - IXFX25N90

KEY Part #: K6407732

IXFX25N90 ფასები (აშშ დოლარი) [5783ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$8.65783
  • 30 pcs$8.61475

Ნაწილი ნომერი:
IXFX25N90
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFX25N90 electronic components. IXFX25N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX25N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX25N90 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFX25N90
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 10800pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 560W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS247™-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TPC6104(TE85L,F,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

  • TPC6107(TE85L,F,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

  • TPC6006-H(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

  • FDD6782A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.

  • FDD6796A

    ON Semiconductor

    MOSFET NCH 25V 20A DPAK.

  • FDD6778A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.