Ნაწილი ნომერი :
FCP260N65S3
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V 260MOHM TO220
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.2mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
24nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1010pF @ 400V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
90W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-3
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3