Vishay Siliconix - SQJ418EP-T1_GE3

KEY Part #: K6420319

SQJ418EP-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [182015ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20321
  • 3,000 pcs$0.17176

Ნაწილი ნომერი:
SQJ418EP-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ418EP-T1_GE3 electronic components. SQJ418EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ418EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ418EP-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQJ418EP-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 68W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ