Ნაწილი ნომერი :
SI4630DY-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
161nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6670pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)