Toshiba Memory America, Inc. - TC58CYG0S3HRAIG

KEY Part #: K938319

TC58CYG0S3HRAIG ფასები (აშშ დოლარი) [20073ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.28283

Ნაწილი ნომერი:
TC58CYG0S3HRAIG
მწარმოებელი:
Toshiba Memory America, Inc.
Დეტალური აღწერა:
1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - ბატარეები, ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები, ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, PMIC - ხელმძღვანელები and ინტერფეისი - CODEC ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CYG0S3HRAIG electronic components. TC58CYG0S3HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CYG0S3HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58CYG0S3HRAIG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TC58CYG0S3HRAIG
მწარმოებელი : Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა : 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : 104MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-WSON (6x8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp