მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
დიოდური კონფიგურაცია :
1 Pair Common Cathode
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) :
50A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 50A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
90ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
25µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-249AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-249AB