MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR ფასები (აშშ დოლარი) [19195ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.38722
- 2,000 pcs$2.23848
- Ნაწილი ნომერი:
- MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR
- მწარმოებელი:
- Micron Technology Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM SDRAM 128M 8MX16 TSOP
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - LED მძღოლები, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ, აუდიო სპეციალური დანიშნულების, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, PMIC - ხელმძღვანელები, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური and ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები) ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR electronic components. MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR
მწარმოებელი :
Micron Technology Inc.
აღწერა :
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
DRAM
ტექნოლოგია :
SDRAM
მეხსიერების ზომა :
128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე :
167MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
12ns
წვდომის დრო :
5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
54-TSOP II
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
-
ცხელი ნაწილები
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR
选择你的位置