Ნაწილი ნომერი :
SI2302CDS-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
850mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
5.5nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
710mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3