Vishay Siliconix - SIE868DF-T1-GE3

KEY Part #: K6416225

SIE868DF-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [77749ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.50543
  • 3,000 pcs$0.50291

Ნაწილი ნომერი:
SIE868DF-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIE868DF-T1-GE3 electronic components. SIE868DF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE868DF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE868DF-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIE868DF-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6100pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 10-PolarPAK® (L)
პაკეტი / საქმე : 10-PolarPAK® (L)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.