Maxim Integrated - DS1250Y-100IND+

KEY Part #: K906762

DS1250Y-100IND+ ფასები (აშშ დოლარი) [857ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$57.43157
  • 10 pcs$54.56124
  • 25 pcs$50.36656
  • 50 pcs$47.84933
  • 100 pcs$40.34903

Ნაწილი ნომერი:
DS1250Y-100IND+
მწარმოებელი:
Maxim Integrated
Დეტალური აღწერა:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP. NVRAM 4096K NV SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები, მეხსიერება - ბატარეები, ლოგიკა - შემსრულებლები, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, ინტერფეისი - ტელეკომი, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, PMIC - ენერგიის გაზომვა and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Maxim Integrated DS1250Y-100IND+ electronic components. DS1250Y-100IND+ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DS1250Y-100IND+, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DS1250Y-100IND+ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DS1250Y-100IND+
მწარმოებელი : Maxim Integrated
აღწერა : IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : NVSRAM
ტექნოლოგია : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
მეხსიერების ზომა : 4Mb (512K x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 100ns
წვდომის დრო : 100ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 4.5V ~ 5.5V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 32-EDIP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM

  • IS64LPS204818B-166TQLA3

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP. SRAM 36M, 3.3V, 166Mhz 1024Kx36 Sync SRAM

  • IS64LPS102436B-166TQLA3

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP. SRAM 36M, 3.3V, 166Mhz 1024Kx36 Sync SRAM