Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-25ETS12STRL-M3

KEY Part #: K6434577

VS-25ETS12STRL-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [64825ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.60316
  • 800 pcs$0.55975

Ნაწილი ნომერი:
VS-25ETS12STRL-M3
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-25ETS12STRL-M3 electronic components. VS-25ETS12STRL-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-25ETS12STRL-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-25ETS12STRL-M3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-25ETS12STRL-M3
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 25A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.14V @ 25A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (D2Pak)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-HFA04SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK

  • VS-8EWF02STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3