Infineon Technologies - BUZ32H3045AATMA1

KEY Part #: K6409905

[120ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BUZ32H3045AATMA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs and დენის მართვის მოდული ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1 electronic components. BUZ32H3045AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ32H3045AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUZ32H3045AATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BUZ32H3045AATMA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
    სერიები : SIPMOS®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 530pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 75W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-3
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS159N E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.