Microsemi Corporation - JAN1N4463DUS

KEY Part #: K6479729

JAN1N4463DUS ფასები (აშშ დოლარი) [3071ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.10044
  • 100 pcs$13.48736

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4463DUS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 8.2V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4463DUS electronic components. JAN1N4463DUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4463DUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4463DUS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4463DUS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 8.2V 1.5W D-5A
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/406
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 8.2V
ტოლერანტობა : ±1%
ძალა - მაქსიმუმი : 1.5W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 3 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 4.92V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA