Infineon Technologies - F475R07W2H3B51BPSA1

KEY Part #: K6534568

F475R07W2H3B51BPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1408ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$30.74305

Ნაწილი ნომერი:
F475R07W2H3B51BPSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies F475R07W2H3B51BPSA1 electronic components. F475R07W2H3B51BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F475R07W2H3B51BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R07W2H3B51BPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : F475R07W2H3B51BPSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 75A
ძალა - მაქსიმუმი : 250W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.55V @ 15V, 37.5A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 4.7nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.