Renesas Electronics America - UPA2815T1S-E2-AT

KEY Part #: K6393784

UPA2815T1S-E2-AT ფასები (აშშ დოლარი) [216534ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17940
  • 5,000 pcs$0.17850

Ნაწილი ნომერი:
UPA2815T1S-E2-AT
მწარმოებელი:
Renesas Electronics America
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Renesas Electronics America UPA2815T1S-E2-AT electronic components. UPA2815T1S-E2-AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2815T1S-E2-AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2815T1S-E2-AT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UPA2815T1S-E2-AT
მწარმოებელი : Renesas Electronics America
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1760pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-HWSON (3.3x3.3)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • FDD5680

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.