Microsemi Corporation - JAN1N4492CUS

KEY Part #: K6479761

JAN1N4492CUS ფასები (აშშ დოლარი) [3839ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.28034
  • 100 pcs$10.78989

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4492CUS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 130V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4492CUS electronic components. JAN1N4492CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4492CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4492CUS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4492CUS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 130V 1.5W D-5A
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/406
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 130V
ტოლერანტობა : ±2%
ძალა - მაქსიმუმი : 1.5W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 500 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250nA @ 104V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • MMBD7000-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM