Ნაწილი ნომერი :
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
მწარმოებელი :
Micron Technology Inc.
აღწერა :
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
DRAM
ტექნოლოგია :
SDRAM - Mobile LPDDR2
მეხსიერების ზომა :
512Mb (16M x 32)
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
-
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
1.14V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 125°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
134-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
134-VFBGA (10x11.5)