Ნაწილი ნომერი :
SI3456DDV-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
9nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
325pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
6-TSOP
პაკეტი / საქმე :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6