Taiwan Semiconductor Corporation - SS215L MQG

KEY Part #: K6437575

SS215L MQG ფასები (აშშ დოლარი) [1311661ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02820

Ნაწილი ნომერი:
SS215L MQG
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 150V 2A SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SS215L MQG electronic components. SS215L MQG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS215L MQG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS215L MQG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SS215L MQG
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 150V 2A SUB SMA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM