ON Semiconductor - FDC30N20DZ

KEY Part #: K6396075

FDC30N20DZ ფასები (აშშ დოლარი) [518439ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07170
  • 3,000 pcs$0.07134

Ნაწილი ნომერი:
FDC30N20DZ
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDC30N20DZ electronic components. FDC30N20DZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC30N20DZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC30N20DZ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDC30N20DZ
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 535pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 960mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SuperSOT™-6
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ