Cypress Semiconductor Corp - S29GL512T12DHVV10

KEY Part #: K936941

S29GL512T12DHVV10 ფასები (აშშ დოლარი) [15475ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.68429
  • 260 pcs$3.66596

Ნაწილი ნომერი:
S29GL512T12DHVV10
მწარმოებელი:
Cypress Semiconductor Corp
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება), ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC) and ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512T12DHVV10 electronic components. S29GL512T12DHVV10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512T12DHVV10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S29GL512T12DHVV10 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S29GL512T12DHVV10
მწარმოებელი : Cypress Semiconductor Corp
აღწერა : IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
სერიები : GL-T
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 60ns
წვდომის დრო : 120ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.65V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 64-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 64-FBGA (9x9)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM