Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1-5BINTR

KEY Part #: K940760

AS4C16M16D1-5BINTR ფასები (აშშ დოლარი) [31721ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.45179
  • 2,500 pcs$1.44457

Ნაწილი ნომერი:
AS4C16M16D1-5BINTR
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული ანალოგური გადამყვანების and ლოგიკა - ლატჩები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BINTR electronic components. AS4C16M16D1-5BINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M16D1-5BINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1-5BINTR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C16M16D1-5BINTR
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • AT28BV64B-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS IND TEMP GRN PKG

  • AT28C64B-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 64K 8K x 8 150 ns 4.5V-5.5V

  • 6116SA20SOG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM