IXYS - IXFT50N60X

KEY Part #: K6395123

IXFT50N60X ფასები (აშშ დოლარი) [11404ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.99499
  • 50 pcs$3.97511

Ნაწილი ნომერი:
IXFT50N60X
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFT50N60X electronic components. IXFT50N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT50N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT50N60X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFT50N60X
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 50A TO268
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 116nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4660pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 660W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ