IDT, Integrated Device Technology Inc - IDT71V416L10Y8

KEY Part #: K929421

[13328ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IDT71V416L10Y8
    მწარმოებელი:
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    Დეტალური აღწერა:
    IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, სპეციალიზებული აივ, საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს and ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc IDT71V416L10Y8 electronic components. IDT71V416L10Y8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDT71V416L10Y8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDT71V416L10Y8 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IDT71V416L10Y8
    მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
    აღწერა : IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : SRAM
    ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
    მეხსიერების ზომა : 4Mb (256K x 16)
    საათის სიხშირე : -
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 10ns
    წვდომის დრო : 10ns
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
    ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 44-SOJ
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TH58NYG3S0HBAI4

      Toshiba Memory America, Inc.

      8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

    • M93S56-WMN6T

      STMicroelectronics

      IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

    • S29GL01GT10FHI030

      Cypress Semiconductor Corp

      IC 1 GB FLASH MEMORY. NOR Flash IC 1 Gb FLASH MEMORY

    • S29GL01GT11FHIV40

      Cypress Semiconductor Corp

      IC NOR. NOR Flash Nor

    • S29GL01GT10FHI040

      Cypress Semiconductor Corp

      IC NOR. NOR Flash Nor

    • S29GL01GT10FAI010

      Cypress Semiconductor Corp

      IC FLASH 1G PARALLEL.