Alliance Memory, Inc. - AS4C128M16D3LB-12BCN

KEY Part #: K937519

AS4C128M16D3LB-12BCN ფასები (აშშ დოლარი) [17157ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.67064
  • 10 pcs$2.43663
  • 25 pcs$2.39018
  • 50 pcs$2.37387
  • 100 pcs$2.12951
  • 250 pcs$2.12132
  • 500 pcs$1.98891
  • 1,000 pcs$1.90427

Ნაწილი ნომერი:
AS4C128M16D3LB-12BCN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA. DRAM 2G 1.35V 800MHz 128M x 16 DDR3
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - RMS to DC გადამყვანი, PMIC - დრაივერების ჩვენება, PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, ლოგიკა - შემსრულებლები, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა and მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LB-12BCN electronic components. AS4C128M16D3LB-12BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C128M16D3LB-12BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M16D3LB-12BCN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C128M16D3LB-12BCN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3L
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-FBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor