Microsemi Corporation - APTGTQ100DDA65T3G

KEY Part #: K6533024

APTGTQ100DDA65T3G ფასები (აშშ დოლარი) [1877ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$23.06400

Ნაწილი ნომერი:
APTGTQ100DDA65T3G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
POWER MODULE - IGBT.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGTQ100DDA65T3G electronic components. APTGTQ100DDA65T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGTQ100DDA65T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ100DDA65T3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGTQ100DDA65T3G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : POWER MODULE - IGBT
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Dual Boost Chopper
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100A
ძალა - მაქსიმუმი : 250W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 100µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 6nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3F

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ