Microsemi Corporation - APTGT75A1202G

KEY Part #: K6533651

[762ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    APTGT75A1202G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOD IGBT 1200V 110A SP2.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGT75A1202G electronic components. APTGT75A1202G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT75A1202G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT75A1202G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTGT75A1202G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOD IGBT 1200V 110A SP2
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : Trench Field Stop
    კონფიგურაცია : Half Bridge
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 110A
    ძალა - მაქსიმუმი : 357W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 50µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.34nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : No
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : SP2
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP2

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.