Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10-4006E-M3/54

KEY Part #: K6441237

[3544ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    GP10-4006E-M3/54
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURPOSE DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტირისტორები - სკკ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10-4006E-M3/54 electronic components. GP10-4006E-M3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10-4006E-M3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP10-4006E-M3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : GP10-4006E-M3/54
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURPOSE DO204AL
    სერიები : *
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : -
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : -
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : -
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : -
    სიჩქარე : -
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : -
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-HFA04SD60S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

    • VS-EPH3006LHN3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • SFA808G C0G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

    • FERD30SM100ST

      STMicroelectronics

      DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

    • SICR6650

      SMC Diode Solutions

      DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

    • SICR10650

      SMC Diode Solutions

      DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.