Microsemi Corporation - APTGT200DA120D3G

KEY Part #: K6533109

APTGT200DA120D3G ფასები (აშშ დოლარი) [1165ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$37.14864
  • 100 pcs$35.24754

Ნაწილი ნომერი:
APTGT200DA120D3G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 300A 1050W D3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200DA120D3G electronic components. APTGT200DA120D3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200DA120D3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DA120D3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGT200DA120D3G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 300A 1050W D3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 300A
ძალა - მაქსიმუმი : 1050W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 6mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 14nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : D-3 Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D3

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU3

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APTGT75TA120PG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6.