Microsemi Corporation - JANTX1N4104UR-1

KEY Part #: K6479702

JANTX1N4104UR-1 ფასები (აშშ დოლარი) [6426ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.67181
  • 10 pcs$5.15487
  • 25 pcs$4.76820
  • 100 pcs$4.38166
  • 250 pcs$3.99502
  • 500 pcs$3.73728

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N4104UR-1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N4104UR-1 electronic components. JANTX1N4104UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N4104UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N4104UR-1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N4104UR-1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA
სერიები : Military
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 10V
ტოლერანტობა : ±5%
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 200 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 7.6V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array