ON Semiconductor - RFP12N10L

KEY Part #: K6417798

RFP12N10L ფასები (აშშ დოლარი) [87402ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.44737
  • 10 pcs$0.39678
  • 100 pcs$0.29662
  • 500 pcs$0.23004
  • 1,000 pcs$0.18161

Ნაწილი ნომერი:
RFP12N10L
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor RFP12N10L electronic components. RFP12N10L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFP12N10L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFP12N10L პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RFP12N10L
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 900pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ