Infineon Technologies - IPL65R190E6AUMA1

KEY Part #: K6401846

IPL65R190E6AUMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [2909ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.66545

Ნაწილი ნომერი:
IPL65R190E6AUMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 4VSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1 electronic components. IPL65R190E6AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R190E6AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R190E6AUMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPL65R190E6AUMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 4VSON
სერიები : CoolMOS™ E6
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 700µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1620pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 151W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-VSON-4
პაკეტი / საქმე : 4-PowerTSFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.