Vishay Siliconix - SI4590DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522547

SI4590DY-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [227995ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16223
  • 2,500 pcs$0.15266

Ნაწილი ნომერი:
SI4590DY-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3 electronic components. SI4590DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4590DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4590DY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4590DY-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : -
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 11.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 360pF @ 50V
ძალა - მაქსიმუმი : 2.4W, 3.4W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ