Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N3611GP-M3/73

KEY Part #: K6443879

[2641ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    1N3611GP-M3/73
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N3611GP-M3/73 electronic components. 1N3611GP-M3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3611GP-M3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N3611GP-M3/73 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 1N3611GP-M3/73
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 200V
    Capacitance @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS08S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-HFA08TA60C-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

    • VSB1545-M3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

    • BAY80-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

    • VS-8ETU04STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.