Winbond Electronics - W987D2HBJX6E TR

KEY Part #: K942475

W987D2HBJX6E TR ფასები (აშშ დოლარი) [47612ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215

Ნაწილი ნომერი:
W987D2HBJX6E TR
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - V / F და F / V გადამყვანი, ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ლოგიკა - შემსრულებლები, სპეციალიზებული აივ and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W987D2HBJX6E TR electronic components. W987D2HBJX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D2HBJX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX6E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W987D2HBJX6E TR
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPSDR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (4M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-VFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.