Ნაწილი ნომერი :
MSRTA200120(A)D
მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
დიოდური კონფიგურაცია :
1 Pair Series Connection
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) :
200A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 200A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
პაკეტი / საქმე :
Three Tower
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Three Tower