Infineon Technologies - FZ1200R17HE4HOSA2

KEY Part #: K6532850

FZ1200R17HE4HOSA2 ფასები (აშშ დოლარი) [142ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$326.00658

Ნაწილი ნომერი:
FZ1200R17HE4HOSA2
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HE4HOSA2 electronic components. FZ1200R17HE4HOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HE4HOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HE4HOSA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FZ1200R17HE4HOSA2
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MODULE IGBT IHMB130-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Single Switch
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1700V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 1200A
ძალა - მაქსიმუმი : 7800W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 1200A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 97nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.