Vishay Siliconix - SQM100N02-3M5L_GE3

KEY Part #: K6418690

SQM100N02-3M5L_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [73379ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.53286

Ნაწილი ნომერი:
SQM100N02-3M5L_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 100A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3 electronic components. SQM100N02-3M5L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM100N02-3M5L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM100N02-3M5L_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQM100N02-3M5L_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 100A TO263
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5500pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (D²Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.