Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG1S3HBAI6

KEY Part #: K939723

TC58NVG1S3HBAI6 ფასები (აშშ დოლარი) [26323ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850

Ნაწილი ნომერი:
TC58NVG1S3HBAI6
მწარმოებელი:
Toshiba Memory America, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - ენერგიის გაზომვა, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი and ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG1S3HBAI6 electronic components. TC58NVG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG1S3HBAI6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TC58NVG1S3HBAI6
მწარმოებელი : Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 25ns
წვდომის დრო : 25ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 67-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 67-VFBGA (6.5x8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM