Ნაწილი ნომერი :
IPB160N04S2L03ATMA2
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH TO262-7
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
160A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
230nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6000pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO263-7-3
პაკეტი / საქმე :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)