Ნაწილი ნომერი :
APTM100A12STG
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი :
2 N-Channel (Half Bridge)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1000V (1kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
616nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
17400pF @ 25V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SP3