Global Power Technologies Group - GP2M008A060FG

KEY Part #: K6402650

[7977ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    GP2M008A060FG
    მწარმოებელი:
    Global Power Technologies Group
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP2M008A060FG electronic components. GP2M008A060FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M008A060FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M008A060FG პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : GP2M008A060FG
    მწარმოებელი : Global Power Technologies Group
    აღწერა : MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1063pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 39W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220F
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.