Ნაწილი ნომერი :
SIA427ADJ-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
8V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
50nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2300pF @ 4V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SC-70-6 Single
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SC-70-6