Vishay Semiconductor Diodes Division - BYVB32-50HE3/81

KEY Part #: K6479132

BYVB32-50HE3/81 ფასები (აშშ დოლარი) [82864ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.47187
  • 800 pcs$0.43791

Ნაწილი ნომერი:
BYVB32-50HE3/81
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 18A 25ns Dual Common Cathode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYVB32-50HE3/81 electronic components. BYVB32-50HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYVB32-50HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYVB32-50HE3/81 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYVB32-50HE3/81
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 18A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.15V @ 20A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 50V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DA6X106U0R

    Panasonic Electronic Components

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA MINI6.

  • TBAT54S,LM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 140MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers Small-Signal Schotky 0.2A 30V

  • BAT6405E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • BAS7004E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • MMBD7000

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Cond Ult Fst Di

  • MMBD7000LT1HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A