Infineon Technologies - IPP60R160P6XKSA1

KEY Part #: K6417100

IPP60R160P6XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [24872ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.43227
  • 10 pcs$1.27847
  • 100 pcs$0.99449
  • 500 pcs$0.80529
  • 1,000 pcs$0.67916

Ნაწილი ნომერი:
IPP60R160P6XKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP60R160P6XKSA1 electronic components. IPP60R160P6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R160P6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R160P6XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP60R160P6XKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 600V TO220-3
სერიები : CoolMOS™ P6
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 23.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 750µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2080pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 176W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.