NXP USA Inc. - A2T23H200W23SR6

KEY Part #: K6465882

A2T23H200W23SR6 ფასები (აშშ დოლარი) [1608ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$26.92486

Ნაწილი ნომერი:
A2T23H200W23SR6
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. A2T23H200W23SR6 electronic components. A2T23H200W23SR6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2T23H200W23SR6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2T23H200W23SR6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : A2T23H200W23SR6
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS
სიხშირე : 2.3GHz ~ 2.4GHz
მოიპოვე : 15.5dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : 10µA
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 500mA
Ძალის გამოსავალი : 51W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : ACP-1230S-4L2S
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ACP-1230S-4L2S

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.