NXP USA Inc. - MRFE8VP8600HSR5

KEY Part #: K6465910

MRFE8VP8600HSR5 ფასები (აშშ დოლარი) [684ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$67.88222

Ნაწილი ნომერი:
MRFE8VP8600HSR5
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. MRFE8VP8600HSR5 electronic components. MRFE8VP8600HSR5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MRFE8VP8600HSR5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MRFE8VP8600HSR5 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MRFE8VP8600HSR5
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS
სიხშირე : 860MHz
მოიპოვე : 21dB
ძაბვა - ტესტი : 50V
ამჟამინდელი რეიტინგი : 20µA
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 1.4A
Ძალის გამოსავალი : 140W
ძაბვა - შეფასებული : 115V
პაკეტი / საქმე : NI-1230S-4S
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : NI-1230S-4S

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.