Microsemi Corporation - JAN1N5822

KEY Part #: K6425738

JAN1N5822 ფასები (აშშ დოლარი) [531ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$87.43759

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N5822
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5822 electronic components. JAN1N5822 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5822, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5822 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N5822
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/620
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 500mV @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 40V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : B, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 125°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DK208DRP

    Littelfuse Inc.

    DIODE RECTIFIER 1200V 8A TO252 R. Rectifiers Diode rectifier 1200V 8A TO252 Reel Pack

  • EGL34G/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VS-20ETS12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3

  • VS-20ETF12FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP. Rectifiers New Input Diodes - FULLPAK-220-e3

  • BYD33JGPHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.

  • UH1PD-M3/85A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA. Rectifiers 1A,200V,25NS,planar FER RECT,SMD