Infineon Technologies - FF650R17IE4DB2BOSA1

KEY Part #: K6533401

FF650R17IE4DB2BOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [157ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$294.16009

Ნაწილი ნომერი:
FF650R17IE4DB2BOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1 electronic components. FF650R17IE4DB2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF650R17IE4DB2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF650R17IE4DB2BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FF650R17IE4DB2BOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE VCES 1700V 650A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : 2 Independent
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1700V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : 4150W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 650A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 54nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • CM600HA-24A

    Powerex Inc.

    IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES.

  • APT200GN60JDQ4

    Microsemi Corporation

    IGBT 600V 283A 682W SOT227.

  • APT150GN60JDQ4

    Microsemi Corporation

    IGBT 600V 220A 536W SOT227.