Diodes Incorporated - DMT6015LSS-13

KEY Part #: K6403409

DMT6015LSS-13 ფასები (აშშ დოლარი) [289449ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12779
  • 2,500 pcs$0.11355

Ნაწილი ნომერი:
DMT6015LSS-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6015LSS-13 electronic components. DMT6015LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6015LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6015LSS-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT6015LSS-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18.9nC @ 30V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1103pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ